Sprungmarken

Servicenavigation

Hauptnavigation

Sie sind hier:

Hauptinhalt

M.Sc. Christian Unger – Wissenschaftlicher Angestellter

M.Sc. Christian Unger – Wissenschaftlicher Angestellter Foto von M.Sc. Christian Unger

Telefon
(+49)231 755-2585

Sprechzeiten
Nach Absprache

 

Adresse

Raum BCI-G3-3.29

Info

Persönlicher Werdegang

  • Hochschule Esslingen
    • 2008-2012, Bachelor of Engineering (B.Eng.), Mechatronik mit Vertiefung Mikrosystemtechnik
    • Bachelor-Thesis: „Überstromabschaltung für Leistungshalbleiter bei dynamischen Hochvolt-Messungen", Robert Bosch GmbH, Reutlingen
  • Hochschule Reutlingen - Robert Bosch Zentrum für Leistungselektronik (rbz)
    • 20013-2014, Master of Science (M.Sc.), Leistungs- und Mikroelektronik
    • Master-Thesis: „Kleinsignalverhalten des Plasmas in bipolaren Bauelementen“
    • 2015-2016, Wissenschaftlicher Mitarbeiter
  • TU Dortmund - Lehrstuhl für Energiewandlung
    • Seit 2016, Wissenschaftlicher Mitarbeiter

Fachgebiete / TÄTIGKEITEN

  • Halbleiterbauelemente
  • Leistungselektronik
  • Messtechnik
  • Schaltungstechnik

LEHRTÄTIGKEITEN



Betreute Abschlussarbeiten:  



Veröffentlichungen:  

2018

Unger, C.; Pfost, M.; : A Comparison of the Transient Behavior of the Drain Current Hysteresis in SiC-MOSFETs , ESARS-ITEC, Nottingham, 10.2018
Unger, C.; Pfost, M.; : Ladungsträger-Trapping bei SiC-MOSFETs und dessen Auswirkungen in der Applikation , Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2018
Unger, C.; Pfost, M.; : Influence of the off-state gate-source voltage on the transient drain current response of SiC MOSFETs , ISPSD, Chicago, 05.2018

 

2017

Unger, C.; Pfost, M.; Mocanu, M.; Waltereit, P.; Reiner, R.; : Pulse robustness of AlGaN/GaN HEMTs with Schottky- and MIS-gates , International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sapporo, Japan, 06.2017
Unger, C.; Pfost, M.; Mocanu, M.; Unger, C.; Pfost, M.; Waltereit, P.; Reiner, R.; : Thermal Stability and Failure Mechanism of Schottky Gate AlGaN/GaN HEMTs , IEEE Transactions on Electron Devices, -, 01.2017

 

2016

Unger, C.; Pfost, M.; Mocanu, M.; Waltereit, P.; Reiner, R.; : Experimental analysis of the gate-leakage-induced failure mechanism in GaN HEMTs , International Semiconductor Conference (CAS), Sinaia, Romania, 10.2016
Pfost, M.; Unger, C.; Cretu, G. ; Cenusa, M. ; Büyüktas, K. ; Wahl, U.; : Short-circuit safe operating area of superjunction MOSFETs , International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Prague, Czech Republic , 06.2016
Unger, C.; Pfost, M.; : Energy capability of SiC MOSFETs , International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Prague, Czech Republic , 06.2016

 

2015

Unger, C.; Ebli, M.; Pfost, M.; : A setup for very high temperature measurements of power semiconductors exceeding 500 °C , International Semiconductor Conference (CAS), Sinaia, Romania, 12.2015